КубГТУ Наука Информация для ученых КубГТУ Предложение о сотрудничестве

Предложение о сотрудничестве

Центр коллективного пользования Кубанского госуниверситета приглашает к сотрудничеству научные коллективы, отдельных исследователей, аспирантов и студентов вузов и организаций, осуществляющих научные исследования, заинтересованные предприятия промышленности и агропромышленного комплекса Кубани к совместному использованию следующего оборудования:
  1. Установка для осаждения тонких пленок «CCR Copra Cube ISSA»
    • Метод: ионно-лучевое осаждение
    • Возможность осаждения слоев с минимальной толщиной слоя 0,8—1 нм
    • Размер подложки — 10 см минимум
    • Возможность осаждения диэлектрических, металлических и полупроводниковых материалов. Неизменность стехиометрии материала мишени в процессе осаждения (для напыления сплавов и др.)
    • Неравномерность покрытии — 3% макс.
    • Наличие дополнительного ионного источника для очистки поверхности подложки
    • Наличие системы ввода реакционного газа
    • Возможность использования различных рабочих газов
    • Количество мишеней — 3
  2. Модуль вакуумного осаждения «AUTO 500»
    • Метод: термическое (резистивное) напыление различных материалов
    • специализированный термический испаритель для органических соединений, максимальная температура испарения не менее 600 °С
    • 2 резистивных испарителя общего назначения, максимальная температура испарения не менее 1700 °С
    • нагрев изделий до заданной температуры, контроль и поддержание температуры в процессе напыления слоев
    • Диапазон температур нагрева подложек не хуже: 50…250 °С
    • Возможность нанесения в одном технологическом процессе (без остановки и перегрузки) множественных чередующихся слоев металлов и органических материалов
    • Система контроля толщины напыляемых слоев на основе кварцевых резонаторов
    • Подложке держатель карусельного типа с приводом вращения
  3. Спектрометр ядерного магнитного резонанса «JNM-ECA400»
    • Магнитное поле 9,39 Т
    • Рабочая частота 400 МГц для 'Н
    • Рабочий диапазон частот не хуже 10—430 МГц
    • Область рабочих температур не менее −140С — +180С, точность поддержания температуры не хуже 0,1 °С:
    • Передающий тракт: цифровой синтез частот.
    • Приемный тракт: полностью цифровой, квадратурная регистрация, АЦП не хуже 16 бит, 2 МГц Возможность работы с инверсными датчиками
    • Различные датчики.
    Число и положение линий в спектрах ЯМР однозначна характеризуют все фракции сырой нефти, синтетических каучуков, контроля качества новых полимерных материалов, сланцев, углей, лекарств, препаратов, продукции химической и фармацевтической промышленности. Кроме этого можно оценить сохранность зерна, измерить влажность и масличность семян, регистрировать содержание клейковины в зерне.
  4. Спектрометр электронного парамагнитного резонанса «JES-FA300 ESR»
    • Чувствительность: не хуже 7×109/10−4 Тл {при модуляции 100 кГц)
    • Разрешение: не хуже 2,35 мкТл (при модуляции 100 кГц)
    • Диапазон СВЧ: X (9000 МГц)
    • Точность установки частоты: 7 порядков
    • Диапазон выходной мощности: от 0,1 мкВт до 200 мВт
    • Диапазон изменения магнитного поля: от 0 до 2 Тл
    • Точность установки: 2 мкТл
    • Амплитуда развёртки: от ±0.01 до ±500 мТл
    • Линейность: ±5 мкТл или ±0.1% и лучше
    • Частота модуляции магнитного поля: 100 кГц, желательно дополнительно 80 Гц
    • Глубина модуляции магнитного поля: от 0,2 мкТл до 2 мТл (при модуляции 100 кГц)
    Позволяет провести качественный и количественный анализ парамагнитных материалов, исследовать динамику молекул, механизмы химических реакций, в том числе фотоиндуцированных, исследовать магнитные свойства материалов, анализировать состав пищевых продуктов, биологических объектов и т.п. на содержание парамагнитных металлов, свободных радикалов.
  5. Сканирующий зондовый микроскоп — модель «JEOL JSPM 5400»
    • Метод: атомно-силовая микроскопия
    • Контактный, полуконтактный, бесконтактный режимы, включающие в себя магнитно-силовую микроскопию, электросиловую микроскопию, SKPM, диссипативную силовую микроскопию, латерально-силовую микроскопию, фазовую спектроскопию, силовую спектроскопию, функции наноманипулирования и нанолитографии
    • Метод: сканирующая туннельная микроскопия
    • разрешение в плоскости XY — не хуже 0,1 нм
    • разрешение в оси Z — не хуже 0,01 нм
    • поле сканирования в плоскости XY — не менее 9 мкм (для режима высокого разрешения)
    • возможность проведения исследований в вакууме
    • позволяет исследовать образцы как с проводящей, так и с непроводящей поверхностью
  6. Растровый электронный микроскоп сверхвысокого разрешения «JSM-7500F»
    • разрешающая способность: Не хуже 1 нм при 15 кВ, не хуже 2,1 нм при 1 кВ
    • увеличение в диапазоне от 25× до 900.000×
    • рабочий диапазон ускоряющих напряжений от 100 В до 30 кВ;
    • использует детекторы: вторичных электронов, отраженных электронов, ЗТЕМ-детектор, энергодисперсионный детектор.
    • система микроанализа состава отдельных образцов.
    Растровый электронный микроскоп JSM-7500F позволяет проводить с высоким разрешением микроструктурные исследования широкого круга твердых материалов. Кроме того JSM-7500F позволяет с высокой точностью проводить элементный анализ исследуемых объектов как точечно, так и с функцией картирования по поверхности. Данная функция позволяет определить состав отдельных структурных элементов поверхности, а также определить химические неоднородности на поверхности образца.
  7. Система для нанесения тонких пленок по технологии Лэнгмюра-Блоджетт
    • нанесение мономолекулярных пленок на поверхность твердых образцов (подложек)
    • формирования полимолекулярных пленок с использованием соответствующей послойной методики.
  8. Двухлучевой спектрофотометр «U-2900 Hitachi»
    • исследование электронных спектров поглощения в видимой и ультрафиолетовой области в диапазоне 190—1100 нм.
Дополнительную информацию можно получить по тел. 219-96-18, эл. почта: nanotech@kubstu.ru. Рубцов Геннадий Павлович. (моб. тел. 8 988 248-30-90).

НОЦ «Диагностика структуры и свойств наноматериалов» — центр коллективного пользования.